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NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 142.43 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NXH020U90MNF2PTG

Fabr. N.º:

NXH020U90MNF2PTG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

Hoja de datos:

NXH020U90MNF2PTG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	142,43 €	142,43 €
	134,41 €	1.344,10 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	900 V
Id: corriente de drenaje continuo:	149 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	14 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	352 W
Serie:	NXH020U90MNF2
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual Common Source
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	19.8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	SiC MOSFET Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	43.2 ns
Vf - Tensión delantera:	2.3 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Hoja de datos

NXH020U90MNF2PTG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

NXH020U90MNF2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH020U90MNF2 Silicon Carbide (SiC) Modules are Vienna SiC modules with 2x 10mohm 900V SiC MOSFET switches. The onsemi devices also have 2x 100A 1200V SiC diodes and a thermistor. The NXH020U90MNF2 is housed in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M2 technology and are driven with a 15V to 18V gate drive.