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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado

Diodes Incorporated MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 11.746En existencias
84.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 3.360
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.9 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 49.925En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 2.8 nC - 55 C + 150 C 950 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 381En existencias
12.000Fecha prevista: 21/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET 797En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET 994En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.1 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel