SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Qc) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the trr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Empaquetado / Estuche
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 15A RDL SIC SKY
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997En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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971En existencias
Mín.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACGE-2
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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2.234En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
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1.011En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
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561En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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232En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 30A RDL SIC SKY
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181En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 30A, 2nd Gen
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614En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450mO 2nd Gen TO-247
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490En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 15A RDL SIC SKY
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54En existencias
450Fecha prevista: 08/04/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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1.646En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen
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87En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450mO 2nd Gen TO-247
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78En existencias
450Fecha prevista: 04/06/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL)
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44En existencias
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Múlt.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL)
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1.000Fecha prevista: 25/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
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898Fecha prevista: 30/06/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 280mO 2nd Gen TO-247
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450Fecha prevista: 30/06/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 2nd Gen TO-247
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No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3