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NVMTSC1D3N08M7TXG

Name: onsemi NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTSC1D3N08M7TG
Price: 5.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMTSC1D3N08M7TG

Fabr. N.º:

NVMTSC1D3N08M7TXG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION

Hoja de datos:

NVMTSC1D3N08M7TXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 9.000

Fecha prevista: 20/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 14

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,26 €	5,26 €
	3,75 €	37,50 €
	2,73 €	273,00 €
	2,59 €	2.590,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	2,55 €	7.650,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	348 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.25 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	196 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	5.1 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	KR
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	32.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	253 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	29 ns
Serie:	NVMTSC1D3N08M7
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	80.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	39.9 ns
Peso unitario:	319,280 mg

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NVMTSC1D3N08M7TXG Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET is a compact and efficiently designed automotive power MOSFET with high thermal performance. This power MOSFET features low capacitance and a Wettable Flank plated option for enhanced optical inspection. onsemi NVMTSC1D3N08M7 MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable and comes in a small footprint of an 8mm x 8mm flat lead package. This device is ideally used in reverse battery protection, switching power supplies, high-side drivers, low-side drivers, H-bridges, and other automotive applications.