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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

Fabr. N.º:

NTMFWS1D5N08XT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Hoja de datos:

NTMFWS1D5N08XT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	3,16 €	3,16 €
	2,06 €	20,60 €
	1,56 €	156,00 €
	1,35 €	675,00 €
	1,16 €	1.160,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,06 €	1.590,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO8FL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	253 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.43 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	83 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	176 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	NTMFWS1D5N08X
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	43 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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Hoja de datos

NTMFWS1D5N08XT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET incorporates a low Q_RR and soft recovery body diode, reducing switching losses. The NTMFWS1D5N08X device offers low R_DS(on) to minimize conduction losses, ensuring efficient operation. Additionally, its low Q_G and capacitance contribute to minimizing driver losses. onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.