Resultados: 18
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
10En existencias
5.000Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
14.631En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
17.923En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.591En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 203 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
4.752En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.250En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 222 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 70 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
3.616En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
5.876En existencias
5.000Fecha prevista: 02/07/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6.745En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 85 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
402En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 120 V 167 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
113En existencias
7.200Fecha prevista: 31/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
369En existencias
1.800Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
297En existencias
5.000Fecha prevista: 15/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
340En existencias
5.000Fecha prevista: 01/07/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
25.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
7.495Fecha prevista: 15/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 138 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement Reel
Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si Reel