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NTMFS0D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XMT1G
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFS0D7N04XMT1G

Fabr. N.º:

NTMFS0D7N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Pedido:: 6.000

Fecha prevista: 28/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 27

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,04 €	2,04 €
	1,32 €	13,20 €
	0,894 €	89,40 €
	0,716 €	358,00 €
	0,63 €	630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,595 €	892,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	323 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	700 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	72.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	134 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.32 ns
Transconductancia delantera: mín.:	244
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.12 ns
Serie:	NTMFS0D7N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	39.1 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25.8 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET is a standard 40V gate level power MOSFET with leading on-resistance for motor driver applications. The lower on-resistance and gate charge can reduce conduction and driving losses. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without an extra snubber circuit in an application.