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DMN1057UCA3-7

Name: Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN1057UCA3-7
Price: 0.33 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMN1057UCA3-7

Fabr. N.º:

DMN1057UCA3-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

DMN1057UCA3-7 Hoja de datos (PDF)

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,335 €	0,34 €
	0,206 €	2,06 €
	0,13 €	13,00 €
	0,097 €	48,50 €
	0,077 €	77,00 €
	0,067 €	335,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,058 €	580,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	X4-DSN0607-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	102 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.3 V
Qg (carga de compuertas):	1.47 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.81 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	12.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.6 ns

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) and is ideal for high-efficiency power management applications. This MOSFET features low gate charge and low gate-to-drain charge for a fast switching performance. The DMN1057UCA3 MOSFET features a compact and ultra-low-profile design with a height of just 0.26mm, making it ideal for space-constrained applications. This MOSFET offers power dissipation of up to 1.81W and thermal resistance of up to 198.6°C/W. The DMN1057UCA3 N-channel MOSFET is used in battery management, load switches, and battery protection applications.