NT1822GVAE1S

Nisshinbo
848-NT1822GVAE1S
NT1822GVAE1S

Fabr.:

Descripción:
CIs para conmutadores de RF 1.0 to 7.125 GHz High Isolation SPDT Switch

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 4.962

Existencias:
4.962 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,03 € 2,03 €
1,29 € 12,90 €
1,15 € 28,75 €
0,946 € 94,60 €
0,831 € 207,75 €
0,787 € 393,50 €
0,661 € 661,00 €
0,604 € 2.416,00 €
0,549 € 4.392,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Nisshinbo Micro Devices
Categoría de producto: CIs para conmutadores de RF
RoHS:  
SPDT
1 GHz
7.125 GHz
0.6 dB
- 40 C
+ 105 C
SMD/SMT
DFN1010-6-GV
Si
Marca: Nisshinbo
Número de conmutadores: Dual
Frecuencia de operación: 1 GHz to 7.125 GHz
Pd (disipación de potencia): 380 mW
Tipo de producto: RF Switch ICs
Cantidad del paquete de fábrica: 5000
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Tensión del suministro - Máx: 5 V
Tensión del suministro - Mín: 1.6 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

NT1822GVAE1S SPDT Switch

Nisshinbo Micro Devices NT1822GVAE1S SPDT Switch offers high isolation for wireless communication systems, especially in Wi-Fi® 7 applications. The NT1822 supports high isolation between RF terminals around 40dB in high frequency up to 7.125GHz. The device attains low insertion loss and high linearity for 1.8V low operating voltage and 1.2V low control voltage.