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DS28E80Q+T

Name: Analog Devices Inc. DS28E80Q+T
Brand: Analog Devices / Maxim Integrated
SKU: 700-DS28E80Q+T
Price: 2.49 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

700-DS28E80Q+T

Fabr. N.º:

DS28E80Q+T

Fabr.:

Analog Devices / Maxim Integrated

Descripción:

EEPROM 2KB RAD TOL 1-W FTP MEM TDFN T&R

Hoja de datos:

DS28E80Q+T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,49 €	2,49 €
	2,25 €	22,50 €
	2,20 €	55,00 €
	2,14 €	107,00 €
	2,09 €	209,00 €
	2,02 €	505,00 €
	1,98 €	990,00 €
	1,96 €	1.960,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,87 €	4.675,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	EEPROM
RoHS:
Tamaño de memoria:	2 kbit
Tipo de interfaz:	1-Wire
Organización:	256 x 8
Empaquetado / Estuche:	TDFN-6
Tensión del suministro - Mín:	2.97 V
Tensión del suministro - Máx:	3.63 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Conservación de datos:	10 Year
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	DS28E80
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Lectura máx. de corriente activa:	12 mA
Marca:	Analog Devices / Maxim Integrated
Voltaje operativo de suministro:	3.3 V
Tipo de producto:	EEPROM
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.):	12 mA
Peso unitario:	50 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DS28E80Q+T Hoja de datos (PDF)

Application Notes

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8542327500
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Chip de memoria 1-Wire DS28E80

El DS28E80 de Maxim es un chip de memoria no volátil programable por el usuario. En contraste con las celdas de almacenamiento de compuerta flotante, el DS28E80 emplea una tecnología de celda de almacenamiento resistente a la radiación gamma. Dispone de 248 bytes de memoria de usuario organizada en bloques de 8 bytes. Se pueden proteger bloques individuales contra escritura. Cada bloque de memoria puede escribirse 8 veces. El DS28E80 se comunica a través de un bus 1-Wire® de un único contacto a velocidad estándar o a velocidad de sobrecontrol. Cada dispositivo cuenta con su propio número de registro exclusivo de 64 bits garantizado que viene programado de fábrica en el chip. La comunicación sigue el protocolo 1-Wire con un número de registro de 64 bits que actúa como dirección de nodo en el caso de una red 1-Wire de múltiples dispositivos.
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