Resultados: 38
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
836En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
276En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
207En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
283En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
242En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
499Fecha prevista: 06/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 342 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19.2 A 189 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Reel