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RQ3L060BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L060BGTB1
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RQ3L060BGTB1

Fabr. N.º:

RQ3L060BGTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)

Hoja de datos:

RQ3L060BGTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	1,30 €	1,30 €
	0,823 €	8,23 €
	0,549 €	54,90 €
	0,43 €	215,00 €
	0,392 €	392,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,352 €	1.056,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	38 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	5.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	14 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.4 ns

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RQ3L060BGTB1 Hoja de datos

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia RQ3L060BG

El MOSFET de potencia RQ3L060BG de ROHM Semiconductor incluye tensión de drenaje a fuente (V_DSS) 60 V y corriente de drenaje continua ±15,5 A. Este MOSFET de canal N ofrece una resistencia de encendido baja 38 mΩ (R_{DS (on)}) y una disipación de potencia de 14 W. El MOSFET RQ3L060BG funciona dentro del intervalo de temperatura de almacenamiento y unión en funcionamiento de -55 °C a 150 °C, y está disponible en un paquete de molde pequeño de alta potencia y sin halógenos (HSMT8). Este dispositivo conforme a RoHS incorpora chapado sin plomo. Entre las aplicaciones típicas se incluyen conmutación, accionamientos de motores y convertidores CC/CC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.