SGT65R65AL

STMicroelectronics
511-SGT65R65AL
SGT65R65AL

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
4,06 € 12.180,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
65 mOhms
+ 6 V
1.8 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: SGT
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN-on-Si
Tipo de transistor: E-Mode
Tipo: RF Power MOSFET
Peso unitario: 76 mg
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99