CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Hoja de datos
8.919En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Hoja de datos
3.840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Hoja de datos
3.399En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Hoja de datos
3.577En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Hoja de datos
6.355En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES
Hoja de datos
2.250En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES
Hoja de datos
5.415En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.225En existencias
10.000Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN