CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Hoja de datos
9.006En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Hoja de datos
2.844En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Hoja de datos
2.983En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES
Hoja de datos
3.428En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES
Hoja de datos
6.883En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Hoja de datos
3.150En existencias
10.000Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.860En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Hoja de datos
1.282En existencias
5.000Fecha prevista: 24/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN