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MCG080N06LHE3-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCG080N06LHE3-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCG080N06LHE3-TP
Price: 0.73 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

833-MCG080N06LHE3-TP

Fabr. N.º:

MCG080N06LHE3-TP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333-B

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MCG080N06LHE3-TP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,731 €	0,73 €
	0,452 €	4,52 €
	0,293 €	29,30 €
	0,224 €	112,00 €
	0,184 €	184,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,163 €	815,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PDFN3333B-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	10.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	24 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.5 ns

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Hoja de datos

MCG080N06LHE3-TP Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MCG080N06LHE3 Power MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCG080N06LHE3 Power MOSFET is a 60V (V_DS) N-channel MOSFET engineered to deliver high performance in compact power systems. This MOSFET is built with Trench MV MOSFET technology and features a high-density cell design for ultra-low R_DS(on), reducing conduction losses for efficient operation. The MCG080N06LHE3 MOSFET offers good thermal performance and a total gate charge of 10.5nC, making it well-suited for fast switching in high-frequency applications. The expanded drain pad helps disperse heat more effectively, supporting reliable high-current operation. This compact power MOSFET features a total power dissipation of 24W and is housed in a PDFN3333-B package. The AEC-Q101 qualification ensures durability and dependable operation in automotive and other high-reliability applications. The MCG080N06LHE3 MOSFET is ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.