Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje colector-base VCBO
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Producto fT para ganancia de ancho de banda
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Serie
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.576En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 140 mV 2.4 W 260 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.360En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 135 mV 2.4 W 250 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.512En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.733En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.651En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.984En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 170 mV 2.4 W 315 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 220 mV 2.4 W 320 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 165 mV 2.4 W 290 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.603En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.866En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.791En existencias
2.000Fecha prevista: 29/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape