HMC8500 RF Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC8500 RF Amplifiers are gallium nitride (GaN), broadband power amplifiers. The amplifiers deliver >10W with up to 55% power added efficiency (PAE) and ±1.0dB typical gain flatness across a 0.01GHz to 2.8GHz instantaneous bandwidth. The HMC8500 series provides a 41dBm high-saturated output power from a 28V at 100mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a 4.5dB noise figure, 47dBM third-order intercept (OIP3), and 10dB return loss.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Valor de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
OIP3 - Interceptación de tercer pedido
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Hoja de datos
Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Reel