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NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 5.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Fabr. N.º:

NVBLS1D7N10MCTXG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:

NVBLS1D7N10MCTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	5,98 €	5,98 €
	4,15 €	41,50 €
	3,10 €	310,00 €
	3,09 €	3.090,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	2,64 €	5.280,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H-PSOF-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	265 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	115 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	303 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia delantera: mín.:	220 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	38 ns
Serie:	NVBLS1D7N10MC
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	76 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	48 ns

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench^® MOSFET supplies a high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.