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RTF016N05FRATL

Name: ROHM Semiconductor RTF016N05FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RTF016N05FRATL
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RTF016N05FRATL

Fabr. N.º:

RTF016N05FRATL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET AECQ

Hoja de datos:

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	0,406 €	4,06 €
	0,30 €	30,00 €
	0,255 €	127,50 €
	0,23 €	230,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,166 €	498,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-323T-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	45 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	2.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	800 mW
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns
Alias de parte #:	RTF016N05FRA

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RoHS (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

RTF016N05FRA Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RTF016N05FRA Small Signal MOSFET features low on-resistance, built-in G-S protection diode, and Pb-free lead plating. This MOSFET is available in TUMT3 small surface-mount package and is AEC-Q101 qualified. The RTF016N05FRA MOSFET offers 45V drain-source voltage, ±1.6A continuous drain current, and ±6.4A pulsed drain current. This MOSFET operates at -55°C to 150°C junction temperature range and storage temperature range. The RTF016N05FRA signal MOSFET is ideal for use in switching.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.