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CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 544.6 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGHV40200PP

Fabr. N.º:

CGHV40200PP

Fabr.:

MACOM

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	544,60 €	544,60 €
	477,52 €	4.775,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440199
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8.7 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	166 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	CGHV40200PP-AMP1
Ganancia:	16.1 dB
Frecuencia operativa máxima:	1.9 GHz
Frecuencia operativa mínima:	1.7 GHz
Energía de salida:	250 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V