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CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 518.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGHV40200PP

Fabr. N.º:

CGHV40200PP

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Hoja de datos:

CGHV40200PP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	518,55 €	518,55 €
	457,42 €	4.574,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440199
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8.7 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	166 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	CGHV40200PP-AMP1
Ganancia:	16.1 dB
Frecuencia operativa máxima:	1.9 GHz
Frecuencia operativa mínima:	1.7 GHz
Energía de salida:	250 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.