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NVB190N65S3F

Name: onsemi NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVB190N65S3F
Price: 4.13 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVB190N65S3F

Fabr. N.º:

NVB190N65S3F

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M

Hoja de datos:

NVB190N65S3F Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,13 €	4,13 €
	2,80 €	28,00 €
	1,99 €	199,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	1,76 €	1.408,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	34 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	162 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	43 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19 ns
Peso unitario:	4 g

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Hoja de datos

NVB190N65S3F Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SUPERFET III® 650V N-Channel MOSFET

onsemi SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFET is ideal for various power systems for miniaturization and higher efficiency. The device utilizes charge balance technology for low on-resistance and lower gate-charge performance. The technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFETs are ideal for automotive onboard chargers and DC/DC converters for hybrid electric vehicles.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.