Resultados: 14
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
Hoja de datos
668En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
Hoja de datos
508En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
5.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Hoja de datos
946En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
Hoja de datos
1.190En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Hoja de datos
375En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Hoja de datos
520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 53 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Hoja de datos
2.058En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Hoja de datos
857En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
Hoja de datos
169En existencias
600Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Hoja de datos
107En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
835Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube