Resultados: 9
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Hoja de datos
479En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 53 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Hoja de datos
2.058En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
5.105En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Hoja de datos
946En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
811En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
Hoja de datos
439En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Hoja de datos
107En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Hoja de datos
Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel