StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a VDS range of 80V to 100V and an RDS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

Resultados: 74
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3.760En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 2.431En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 497En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 210 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 224 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 875En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 69 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 2.941En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 4.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 3.187En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 4.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 21 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.134En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.793En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 118 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1.356En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 302 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 892En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 282 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2.171En existencias
2.400Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 223 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.461En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1.219En existencias
8.000Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 143 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1.930En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 139 A 2.85 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1.848En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1.326En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC 5.242En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 426 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 300 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET 2.563En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 208 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 135 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 877En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1.151En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 131 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.166En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 228En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 692En existencias
1.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube