U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET Small-signal Nch MOSFET 588En existencias
80.000Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 101En existencias
16.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 40 V 1.8 A 400 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 7.886En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A 3.702En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4.165En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A 4.607En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 9.693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1 489En existencias
21.000Fecha prevista: 12/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 112 mOhms - 12 V, 12 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 3.303En existencias
3.000Fecha prevista: 20/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 84 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohma.4.5V, DFN2020B(WF)Automotive 768En existencias
9.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020B-6 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
139.603Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
18.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET
20.000Fecha prevista: 18/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel