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QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1229.2 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-QPD1016L

Fabr. N.º:

QPD1016L

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Hoja de datos:

QPD1016L Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	NI-780
Polaridad de transistor:	P-Channel
Id: corriente de drenaje continuo:	1 A
Pd (disipación de potencia):	714 W
Marca:	Qorvo
Ganancia:	18 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	50 V
Frecuencia operativa máxima:	1.7 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	537 W
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1016L
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD1016L GaN RF Transistor

Qorvo QPD1016L GaN RF Transistor is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.