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RV4E031RPHZGTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV4E031RPHZGTCR1
Price: 0.26 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

755-RV4E031RPHZGTCR1

Fabr. N.º:

RV4E031RPHZGTCR1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET AECQ

Hoja de datos:

RV4E031RPHZGTCR1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1616-6W
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	105 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	4.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	RV4E031RPHZG

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RV4E031RP HZG Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG Small Signal MOSFET features low on-resistance, a small high power package, and a low voltage drive. This MOSFET is 100% UIS tested and includes a Wettable Flank for Automated Optical-solder Inspection (AOI). The RV4E031RP HZG signal MOSFET operates at -55°C to 150°C junction temperature range and storage temperature range. This MOSFET offers -30V drain-source voltage, ±3.1A continuous drain current, and 1.5W power dissipation. Typical applications include switching circuits, high side load switch, and high-speed line driver.