EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

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Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
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Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos EASY
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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158En existencias
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Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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3En existencias
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Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
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36En existencias
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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3En existencias
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Mín.: 1
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Half Bridge Si M1H Tray