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FF06MR12A04MA2AKSA1

Name: Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF06MR12A04MA2AK
Price: 201.17 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-FF06MR12A04MA2AK

Fabr. N.º:

FF06MR12A04MA2AKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

FF06MR12A04MA2AKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	201,17 €	201,17 €
	171,46 €	1.714,60 €
120	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Modules
Tipo:	1 N-Channel
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	5.15 V
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	HybridPACK
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	53 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	190 A
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	14.5 mOhms
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	120
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	CoolSiC
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	228 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.55 V
Alias de parte #:	FF06MR12A04MA2 SP005558866

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET & NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET and NTC are high-performance power modules designed for demanding automotive applications, particularly in hybrid and electric vehicles (xEVs). This compact half-bridge module integrates silicon carbide (SiC) MOSFETs and an NTC thermistor, enabling superior efficiency and thermal performance. With a blocking voltage of 1200V and a nominal current rating of 190A, the modules support high-speed switching with low conduction and switching losses, thanks to the inherent advantages of SiC technology.