NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFET comes in compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET features low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTFS6H860NL MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This onsemi MOSFET comes in a 3.3mm x 3.3mm package. Typical applications include reverse battery protection, power switches (high-side drivers, low-side drivers, and H-bridges), and switching power supplies.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 15.413En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 2.893En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel