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NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 2.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTTFSSCH1D3N04XL

Fabr. N.º:

NTTFSSCH1D3N04XL

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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NTTFSSCH1D3N04XL Hoja de datos

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Pedido:: 10.000

Fecha prevista: 05/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,21 €	2,21 €
	1,43 €	14,30 €
	1,02 €	102,00 €
	0,851 €	425,50 €
	0,789 €	789,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,671 €	3.355,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WDFN-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	207 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	107 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	123 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	NTTFSSCH1D3N04XL
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	43 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns

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NTTFSSCH1D3N04XL Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ R_DS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.