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BGA5H1BN6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA5H1BN6E6327XT
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BGA5H1BN6E6327XT

Fabr. N.º:

BGA5H1BN6E6327XTSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Hoja de datos:

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,433 €	4,33 €
	0,409 €	10,23 €
	0,373 €	37,30 €
	0,353 €	88,25 €
	0,336 €	168,00 €
	0,302 €	302,00 €
	0,259 €	1.036,00 €
	0,233 €	1.864,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 12000)
	0,233 €	2.796,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de operación:	2.3 GHz to 2.69 GHz
Voltaje operativo de suministro:	1.5 V to 3.6 V
Corriente de suministro operativa:	8.5 mA
Ganancia:	18 dB
NF - Valor de ruido:	0.7 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSNP-6
Tecnología:	SiGe
P1dB - Punto de compresión:	- 16 dBm
OIP3 - Interceptación de tercer pedido:	- 6 dBm
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Aislamiento dB:	36 dB
Número de canales:	1 Channel
Pd (disipación de potencia):	60 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	12000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	2.5 GHz
Alias de parte #:	BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Peso unitario:	0,830 mg

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TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control. The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the V_CC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm², the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.