Resultados: 5
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
306En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W Tube
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
298En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W Tube
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
142En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W Tube
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W Tube
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W Tube