High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
3Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C