UJ3D 650V/1200V/1700V SiC Schottky Diodes

onsemi UJ3D 650V/1200V/1700V SiC Schottky Diodes are designed to take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with 4 times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). With zero reverse recovery charge and a high maximum junction temperature of +175°C, these devices are ideally suited for high-frequency and high-efficiency power systems with minimum cooling requirements. These devices from onsemi feature an optimized forward voltage drop, enhanced surge capability, and ultra-low reverse recovery Qc(Qrr) and are ideally suited for telecom power, server PSUs, battery chargers, and any application that requires high switching speeds and reduced losses. All devices are qualified according to AEC-Q101 standards and manufactured in a TS 16949-certified supply chain, making them ideal for automotive applications. 

Resultados: 20
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/50ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
1.307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 275 A 52 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/10ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
748En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.4 V 120 A 10 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/10ASICDIODEDUAL
Hoja de datos
1.070En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/10ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
1.045En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 10 A 1.2 kV 1.4 V 120 A 100 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/20ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
917En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.52 V 190 A 18 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/4ASICDIODEG3TO22
Hoja de datos
1.674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 29 A 700 nA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/16ASICDIODEG3TO2
Hoja de datos
949En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 100 A 16 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/30ASICDIODEG3TO2
Hoja de datos
583En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 650 V 1.5 V 165 A 30 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/5ASICDIODEG3TO2
Hoja de datos
990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 5 A 1.2 kV 1.4 V 70 A 40 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/8ASICDIODEG3TO22
Hoja de datos
1.706En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 55 A 8 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/10ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
2.288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 1.2 kV 1.4 V 120 A 100 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/10ASICDIODEG3TO2
Hoja de datos
655En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/20ASICDIODEDUAL
Hoja de datos
346En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 20 A 1.2 kV 1.4 V 240 A 200 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/50ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
609En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 275 A 500 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/20ASICDIODEDUALG
Hoja de datos
255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 20 A 650 V 1.5 V 140 A 20 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V/2ASICDIODEG3TO2
Hoja de datos
1.161En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 2 A 1.2 kV 1.4 V 30 A 20 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/60ASICDIODEDUALG
Hoja de datos
961En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 60 A 650 V 1.5 V 330 A 60 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1700V/25ASICDIODEG3TO
Hoja de datos
289En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 25 A 1.7 kV 1.54 V 180 A 24 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/20ASICDIODEG3TO2
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 22/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 126 A 20 uA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V/6ASICDIODEG3TO22
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 31 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 45 A 700 nA - 55 C + 175 C UJ3D AEC-Q101 Tube