MOSFET de potencia de 600 V y máxima unión de canal N

Los MOSFET de potencia de 600 V y máxima unión de canal N de Micro Commercial Components (MCC)  ofrecen baja resistencia a la conexión, baja pérdida de conducción y conmutación suave. Estos MOSFET están diseñados con   un diodo integrado de recuperación inversa rápida. Los MOSFET de potencia de 600 V ofrecen una carga de compuertas muy baja  y una impedancia baja. Estos MOSFET también cumplen la clasificación de inflamabilidad epoxi UL 94V-0. Los MOSFET de potencia de 600 V no contienen plomo ni halógenos, y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores CA-CC, accionamientos de motores, controladores LED, adaptadores de carga, sistemas de gestión de energía, microinversores solares y sistemas de almacenamiento de energía (SAE).

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L-KS 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 19.5 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L-KS 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 17.5 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 57 nC - 55 C + 150 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800

Si Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 58 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Bulk