E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Resultados: 39
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET 677En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7.5 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 650V 24A N-CH MOSFET 2.819En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D²PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V 490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET 262En existencias
1.000Fecha prevista: 19/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET 685En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V 3.759En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 23A N-CH MOSFET 40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 26A N-CH MOSFET 45En existencias
3.000Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si

Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 15A N-CH MOSFET No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 32A N-CH MOSFET No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel