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RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 1.9 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RH7E04BBJFRATCB

Fabr. N.º:

RH7E04BBJFRATCB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET DFN8 P-CH 30V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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	1,90 €	1,90 €
	1,22 €	12,20 €
	0,827 €	82,70 €
	0,66 €	330,00 €
	0,623 €	623,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,593 €	1.779,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	65 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	75 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	105 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	17 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	160 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET is a -30V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A drain current (I_D) rated automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. This MOSFET has a drain-source on-state resistance (R_DS(ON)) of 7.52mΩ (max.) with V_GS = -10V, I_D= -20A or 11.3mΩ (max.) with V_GS = -4.5V, I_D = -10A. The total gate charge (Q_g) is 65.0nC (typ.) with V_DD = -15V, I_D = -10A, V_GS = -10V. The ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.