GANB4R8-040CBAZ

Nexperia
771-GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 4.664

Existencias:
4.664 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,49 € 2,49 €
1,62 € 16,20 €
1,58 € 79,00 €
1,12 € 112,00 €
0,929 € 464,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,903 € 2.257,50 €
0,783 € 3.915,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-22
N-Channel
1 Channel
20 A
- 6 V, + 6 V
15.8 nC
- 40 C
+ 125 C
13 W
Enhancement
Marca: Nexperia
Configuración: Single
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Alias de parte #: 934667630341
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FET de GaN bidireccional GANB4R8-040CBA

El FET de GaN bidireccional GANB4R8-040CBA de Nexperia es un transistor de nitruro de galio (GaN) bidireccional de alta movilidad de electrones de 40 V y 4,8 mΩ. El GANB4R8-040CBA es un FET normalmente apagado con modo de mejora que proporciona un rendimiento superior. El GANB4R8-040CBA de Nexperia está disponible en un encapsulado de escala de chip a nivel de placa (WLCSP).