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QPD0005TR13

Name: Qorvo QPD0005TR13
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0005TR13
Price: 5.23 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-QPD0005TR13

Fabr. N.º:

QPD0005TR13

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

Modelo ECAD:

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Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

QPD0005SR

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

14,90 €

Min:

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Fabr.:

Qorvo

Fabr. N.º:

QPD0005SR

Descripción:

FET de GaN 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	48 V
Marca:	Qorvo
Ganancia:	18.8 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	48 V
Frecuencia operativa máxima:	5 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.5 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	5 W
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0005
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de parte #:	QPD0005 QPD0005SR

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

QPD0005 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) in a plastic overmold DFN package. These RF transistors operate over a 2.5GHz to 5GHz frequency range. Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering P_SAT of 8.7W at 48V operation. These transistors come in a 4.5mm x 4.0mm package and are RoHS compliant. Applications include WCDMA / LTE, macrocell base station, microcell base station, small cell, active antenna, 5G massive MIMO, and general-purpose applications.