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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Hoja de datos
451En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Hoja de datos
449En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Hoja de datos
846En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 60A Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
439En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Hoja de datos
399En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube