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RDGD31603PHSEVM

Name: NXP RDGD31603PHSEVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-RDGD31603PHSEVM
Price: 686.07 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

771-RDGD31603PHSEVM

Fabr. N.º:

RDGD31603PHSEVM

Fabr.:

NXP Semiconductors

Descripción:

Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía RDGD31603PHSEVM

Hoja de datos:

RDGD31603PHSEVM Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía
RoHS:	N
Producto:	Reference Design Boards
Tipo:	Inverter
Voltaje de entrada:	12 V
La herramienta es para la evaluación de :	GD3160
Marca:	NXP Semiconductors
Tipo de interfaz:	SPI
Tipo de producto:	Power Management IC Development Tools
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Alias de parte #:	935427963598

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Hoja de datos

RDGD31603PHSEVM Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8473302000
USHTS:: 8473301180
ECCN:: EAR99

RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design demonstrates a three-phase inverter circuit based on six GD3160 Gate Drivers. The GD3160 is an advanced single-channel high-voltage isolated Gate Driver with enhanced features for driving and protecting Silicon Carbide (SiC) MOSFETs or IGBTs and functional safety. The RDGD3160I3PH5EVB supports SPI daisy chain communication for programming and communication with three high-side gate drivers and three low-side gate drivers independently. The Reference Design includes fault management and all supporting circuitry. Other supporting features on the board include desaturation short-circuit detection, IGBT/SiC temperature sensing, DC Link bus voltage monitoring, phase current sensing, and motor resolver excitation and signal processing connection circuitry.