RBRxx60ANZ Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type diodes that come in a TO-220FN package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and operate at -55°C to +150°C temperature range. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low VF and high reliability. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube