1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.

Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101