GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET delivers lower capacitance and higher system efficiency. The GP2T080A120H features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode. The GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. Furthermore, the GP2T080A120H s easy to parallel and offers a lower Qg. The device is ideal for solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
SemiQ MOSFET de SiC 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
Hoja de datos
120En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement