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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
Hoja de datos
122En existencias
24Fecha prevista: 08/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray
onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray