NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules

onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules are 1200V, 800A rated half-bridge IGBT power module. These modules integrate Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen 7 diodes to provide low conduction losses and switching losses. This enables designers to achieve high efficiency and superior reliability. Typical applications include motor drives, servo drives, Commercial Agriculture Vehicles (CAV), solar drives, and UPS.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
Hoja de datos
60Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray