STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
Hoja de datos
525En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube