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NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 4.88 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVBLS1D2N08XTXG

Fabr. N.º:

NVBLS1D2N08XTXG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10 80V SG TOLL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

NVBLS1D2N08XTXG Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 2.000

Fecha prevista: 02/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 19

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,88 €	4,88 €
	3,45 €	34,50 €
	2,98 €	298,00 €
	2,90 €	1.450,00 €
	2,81 €	2.810,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	2,75 €	5.500,00 €
10.000	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H-PSOF-8L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	299 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	121 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	197 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	294 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	23 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	65 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	40 ns

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Atributos seleccionados: 0

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NVBLS1D2N08XTXG Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET features a low Q_RR, R_DS(on), and Q_G to minimize driver and conduction loss. The MOSFET is AEC-Q101-qualified for automotive 48V system applications. The device operates with an 80V drain-to-source voltage and 299A continuous drain current. The onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET is available in a H-PSOF8L package.