QPD0005MTR13

Qorvo
772-QPD0005MTR13
QPD0005MTR13

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor

Ciclo de vida:
NRND:
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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
4.5 mm x 4 mm
48 V
Marca: Qorvo
Ganancia: 18.6 dB
Frecuencia operativa máxima: 5 GHz
Frecuencia operativa mínima: 2.5 GHz
Sensibles a la humedad: Yes
Energía de salida: 8 W
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD0005M
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Alias de parte #: QPD0005M
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD0005M RF JFET Transistors

Qorvo QPD0005M RF JFET Transistors are single-path discrete GaNs on SiC HEMT in a plastic overmold DFN package. The transistors operate from 2.5 to 5.0GHz. The devices are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a PSAT of 5.9W at +48V operation.