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STD65N160M9

Name: STMicroelectronics STD65N160M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD65N160M9
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STD65N160M9

Fabr. N.º:

STD65N160M9

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,92 €	2,92 €
	2,06 €	20,60 €
	1,44 €	144,00 €
	1,26 €	630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,07 €	2.675,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	160 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	32 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	106 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	MDmesh M9
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	330 mg

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Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STD65N160M9 N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD65N160M9 N-channel Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The MOSFET is suitable for medium/high voltage featuring very low R_DS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing for an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.