60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel